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N-Channel 60 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | PG-TDSON-8-5 | |
Basisproduktnummer | BSC100 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | OptiMOS™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 12A (Ta), 50A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 50A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 23µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3500 pF @ 30 V | |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | |
Andere Namen | BSC100N06LS3 GTR SP000453664 BSC100N06LS3 G-ND BSC100N06LS3GATMA1DKR BSC100N06LS3GATMA1TR BSC100N06LS3 GDKR BSC100N06LS3 GCT BSC100N06LS3G BSC100N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC100N06LS3 G BSC100N06LS3 GCT-ND BSC100N06LS3 GTR-ND BSC100N06LS3 GDKR-ND BSC100N06LS3GATMA1CT BSC100N06LS3GATMA1DKR-NDTR-ND |
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