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N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO263-3 | |
Basisproduktnummer | IPB083 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | OptiMOS™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 80A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 73A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3980 pF @ 50 V | |
Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) | |
Andere Namen | IPB083N10N3 GDKR-ND IPB083N10N3G IPB083N10N3 G IPB083N10N3GATMA1DKR SP000458812 IPB083N10N3GATMA1TR IPB083N10N3 GDKR IPB083N10N3 GCT IPB083N10N3 G-ND IPB083N10N3 GCT-ND IPB083N10N3GATMA1CT IPB083N10N3 GTR-ND |
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