NVD5117PLT4G-VF01

MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2282846-NVD5117PLT4G-VF01
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NVD5117PLT4G-VF01
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

P-Channel 60 V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Herstelleronsemi
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten DPAK
Basisproduktnummer NVD5117
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieAutomotive, AEC-Q101
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Ta), 61A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)±20V
FET-TypP-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)60 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4800 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.) 4.1W (Ta), 118W (Tc)
Andere NamenNVD5117PLT4G-VF01TR
NVD5117PLT4G-VF01DKR
NVD5117PLT4G-VF01CT

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