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DMT10H072LFDFQ-7
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
NOVA-Teilenummer:
312-2285267-DMT10H072LFDFQ-7
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
DMT10H072LFDFQ-7
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 100 V 4A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | U-DFN2020-6 (Type F) | |
| Basisproduktnummer | DMT10 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 6-UDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 228 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) | |
| Andere Namen | 31-DMT10H072LFDFQ-7TR 31-DMT10H072LFDFQ-7DKR 31-DMT10H072LFDFQ-7CT |
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