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DMN62D1SFB-7B
MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
NOVA-Teilenummer:
312-2284486-DMN62D1SFB-7B
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
DMN62D1SFB-7B
Standardpaket:
10,000
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 60 V 410mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | X1-DFN1006-3 | |
| Basisproduktnummer | DMN62 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 410mA (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 40mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 3-UFDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 80 pF @ 40 V | |
| Verlustleistung (max.) | 470mW (Ta) | |
| Andere Namen | -DMN62D1SFB-7BDITR DMN62D1SFB-7BDIDKR DMN62D1SFB-7BDICT DMN62D1SFB-7BDI-ND -DMN62D1SFB-7BDICT -DMN62D1SFB-7BDIDKR DMN62D1SFB-7BDITR DMN62D1SFB-7BDI |
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