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N-Channel 1000 V 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220-3
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | IXYS | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-220-3 | |
Basisproduktnummer | IXTP01 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | Depletion | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100mA (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | - | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110Ohm @ 50mA, 0V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | - | |
FET-Funktion | Depletion Mode | |
Paket/Koffer | TO-220-3 | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 120 pF @ 25 V | |
Verlustleistung (max.) | 1.1W (Ta), 25W (Tc) | |
Andere Namen | 607074 Q1614635 IXTP01N100D-NDR |
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