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P-Channel 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | VESM | |
Basisproduktnummer | SSM3J15 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | π-MOSVI | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100mA (Ta) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 2.5V, 4V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 10mA, 4V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.7V @ 100µA | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | SOT-723 | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | P-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 9.1 pF @ 3 V | |
Verlustleistung (max.) | 150mW (Ta) | |
Andere Namen | SSM3J15FV,L3F(B SSM3J15FV,L3F(T SSM3J15FVL3FTR SSM3J15FVL3FCT SSM3J15FVL3FDKR |
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