SI2308BDS-T1-GE3

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MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

NOVA-Teilenummer:

312-2280558-SI2308BDS-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI2308BDS-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

N-Channel 60 V 2.3A (Tc) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	SOT-23-3 (TO-236)
Basisproduktnummer	SI2308
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	2.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	156mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	6.8 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	190 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.)	1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Andere Namen	SI2308BDST1GE3 SI2308BDS-T1-GE3TR SI2308BDS-T1-GE3CT SI2308BDS-T1-GE3DKR