FQD12N20LTM

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2285474-FQD12N20LTM
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FQD12N20LTM
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Herstelleronsemi
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten TO-252AA
Basisproduktnummer FQD12N20
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieQFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 5 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)±20V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)200 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1080 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Andere NamenFQD12N20LTMCT
FQD12N20LTMDKR
FQD12N20LTMTR
FQD12N20LTM-ND

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