SISS22LDN-T1-GE3

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MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK

NOVA-Teilenummer:

312-2263323-SISS22LDN-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SISS22LDN-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

N-Channel 60 V 25.5A (Ta), 92.5A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® 1212-8S
Basisproduktnummer	SISS22
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	25.5A (Ta), 92.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.65mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® 1212-8S
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2540 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
Andere Namen	742-SISS22LDN-T1-GE3CT 742-SISS22LDN-T1-GE3TR 742-SISS22LDN-T1-GE3DKR

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