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N-Channel 30 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | SC-59-3 | |
Basisproduktnummer | 2SK2009 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 200mA (Ta) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 2.5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 50MA, 2.5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 70 pF @ 3 V | |
Verlustleistung (max.) | 200mW (Ta) | |
Andere Namen | 2SK2009TE85LFCT 2SK2009 (TE85L,F) 2SK2009(TE85L,F) 2SK2009TE85LFTR 2SK2009TE85LFDKR |
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