IPD90N10S4L06ATMA1

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MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

NOVA-Teilenummer:

312-2282825-IPD90N10S4L06ATMA1

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

IPD90N10S4L06ATMA1

Standardpaket:

2,500

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

N-Channel 100 V 90A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TO252-3-313
Basisproduktnummer	IPD90N10
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	90A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	98 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)	±16V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	6250 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	136W (Tc)
Andere Namen	IPD90N10S4L06ATMA1-ND IPD90N10S4L06ATMA1CT IPD90N10S4L06ATMA1TR IPD90N10S4L06ATMA1DKR SP000866562