SI4435FDY-T1-GE3

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MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

NOVA-Teilenummer:

312-2282029-SI4435FDY-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI4435FDY-T1-GE3

Standardpaket:

2,500

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

P-Channel 30 V 12.6A (Tc) 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-SOIC
Basisproduktnummer	SI4435
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen III
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	12.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1500 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)	4.8W (Tc)
Andere Namen	SI4435FDY-T1-GE3DKR SI4435FDY-T1-GE3TR SI4435FDY-T1-GE3CT SI4435FDY-T1-GE3-ND