FQD1N80TM

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MOSFET N-CH 800V 1A DPAK

NOVA-Teilenummer:

312-2274144-FQD1N80TM

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

FQD1N80TM

Standardpaket:

2,500

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

N-Channel 800 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	onsemi
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	TO-252AA
Basisproduktnummer	FQD1N80
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	QFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	1A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	7.2 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)	±30V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	195 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 45W (Tc)
Andere Namen	2156-FQD1N80TM-OS FQD1N80TM-ND ONSONSFQD1N80TM FQD1N80TMDKR FQD1N80TMCT FQD1N80TMTR