SISS92DN-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK

NOVA-Teilenummer:

312-2287693-SISS92DN-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SISS92DN-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

N-Channel 250 V 3.4A (Ta), 12.3A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® 1212-8S
Basisproduktnummer	SISS92
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	3.4A (Ta), 12.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	173mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® 1212-8S
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	350 pF @ 125 V
Verlustleistung (max.)	5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Andere Namen	SISS92DN-T1-GE3TR SISS92DN-T1-GE3DKR SISS92DN-T1-GE3CT