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SI7792DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2339800-SI7792DP-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI7792DP-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 30 V 40.6A (Ta), 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® SO-8 | |
| Basisproduktnummer | SI7792 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | SkyFET®, TrenchFET® Gen III | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 40.6A (Ta), 60A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Body) | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4.735 nF @ 15 V | |
| Verlustleistung (max.) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
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