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IPT60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF
NOVA-Teilenummer:
312-2292673-IPT60R080G7XTMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPT60R080G7XTMA1
Standardpaket:
2,000
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 650 V 29A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-HSOF-8-2 | |
| Basisproduktnummer | IPT60R080 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ G7 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 29A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 9.7A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 490µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerSFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1640 pF @ 400 V | |
| Verlustleistung (max.) | 167W (Tc) | |
| Andere Namen | INFINFIPT60R080G7XTMA1 IPT60R080G7XTMA1DKR IPT60R080G7XTMA1CT IPT60R080G7XTMA1TR SP001615904 2156-IPT60R080G7XTMA1 IPT60R080G7XTMA1-ND |
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