FQD3N60CTM-WS

MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2287702-FQD3N60CTM-WS
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FQD3N60CTM-WS
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Herstelleronsemi
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten TO-252AA
Basisproduktnummer FQD3N60
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieQFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)±30V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)600 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 565 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Andere NamenFQD3N60CTM_WSTR-ND
FQD3N60CTM_WSDKR-ND
FQD3N60CTMWS
FQD3N60CTM_WS
FQD3N60CTM_WSTR
FQD3N60CTM_WSCT-ND
FQD3N60CTM-WSCT
FQD3N60CTM-WSDKR
FQD3N60CTM_WSDKR
FQD3N60CTM-WSINACTIVE
FQD3N60CTM-WS-ND
FQD3N60CTM_WS-ND
FQD3N60CTM-WSTR
FQD3N60CTM_WSCT

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