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SCTW100N65G2AG
SICFET N-CH 650V 100A HIP247
NOVA-Teilenummer:
312-2283943-SCTW100N65G2AG
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SCTW100N65G2AG
Standardpaket:
30
Technisches Datenblatt:
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N-Channel 650 V 100A (Tc) 420W (Tc) Through Hole HiP247™
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | HiP247™ | |
| Basisproduktnummer | SCTW100 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 50A, 18V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 162 nC @ 18 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-247-3 | |
| Vgs (Max) | +22V, -10V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3315 pF @ 520 V | |
| Verlustleistung (max.) | 420W (Tc) | |
| Andere Namen | 497-SCTW100N65G2AG |
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