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N-Channel 80 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO263-7 | |
Basisproduktnummer | IPB019 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | OptiMOS™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 180A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 14200 pF @ 40 V | |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) | |
Andere Namen | IPB019N08N3GATMA1CT IPB019N08N3 G-ND IPB019N08N3 G Q4136793 IPB019N08N3 GCT IPB019N08N3 GTR-ND IPB019N08N3GATMA1TR SP000444110 2832-IPB019N08N3GATMA1-TR IPB019N08N3G IPB019N08N3 GCT-ND IPB019N08N3 GDKR-ND IPB019N08N3 GDKR IPB019N08N3GATMA1DKR |
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