Bitte geben Sie Ihre Daten in das Formular ein. Wir werden uns schnellstmöglich mit Ihnen in Verbindung setzen und Ihnen das CAD-Modell zukommen lassen.
N-Channel 1200 V 72A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Rohm Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-247N | |
Basisproduktnummer | SCT3030 | |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 72A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 18V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 27A, 18V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 13.3mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 131 nC @ 18 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-247-3 | |
Vgs (Max) | +22V, -4V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2222 pF @ 800 V | |
Verlustleistung (max.) | 339W (Tc) |
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.