Altium
Adler
OrCad
PADS
KiCad
SCTH90N65G2V-7
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
NOVA-Teilenummer:
312-2283890-SCTH90N65G2V-7
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SCTH90N65G2V-7
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
Bitte geben Sie Ihre Daten in das Formular ein. Wir werden uns schnellstmöglich mit Ihnen in Verbindung setzen und Ihnen das CAD-Modell zukommen lassen.
N-Channel 650 V 90A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | H2PAK-7 | |
| Basisproduktnummer | SCTH90 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 90A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 50A, 18V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 157 nC @ 18 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Max) | +22V, -10V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3300 pF @ 400 V | |
| Verlustleistung (max.) | 330W (Tc) | |
| Andere Namen | 497-18352-6 497-18352-2 497-18352-1 |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
FQD2P40TMonsemi
DZT5551-13Diodes Incorporated
RB500VM-40TE-17Rohm Semiconductor
NTBG015N065SC1onsemi
IPB017N10N5ATMA1Infineon Technologies
SCTH35N65G2V-7AGSTMicroelectronics
SCTH100N65G2-7AGSTMicroelectronics
C3M0120065JWolfspeed, Inc.
5029Adafruit Industries LLC- C3M0060065JWolfspeed, Inc.
