SI3460DDV-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP

NOVA-Teilenummer:

312-2285051-SI3460DDV-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI3460DDV-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

N-Channel 20 V 7.9A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	6-TSOP
Basisproduktnummer	SI3460
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	7.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 8 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (Max)	±8V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	666 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)	1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Andere Namen	SI3460DDV-T1-GE3DKR SI3460DDV-T1-GE3TR SI3460DDVT1GE3 SI3460DDV-T1-GE3CT