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N-Channel 60 V 260A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | 175°C | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | 8-DSOP Advance | |
Basisproduktnummer | TPW1R306 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | U-MOSIX-H | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 260A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.29mOhm @ 50A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | 8-PowerWDFN | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 8100 pF @ 30 V | |
Verlustleistung (max.) | 960mW (Ta), 170W (Tc) | |
Andere Namen | TPW1R306PLL1QCT TPW1R306PLL1QDKR TPW1R306PLL1QTR TPW1R306PL,L1Q(M |
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