Altium
Adler
OrCad
PADS
KiCad
SQ2318BES-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
NOVA-Teilenummer:
312-2285009-SQ2318BES-T1_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQ2318BES-T1_GE3
Standardpaket:
3,000
Verfügbares Downloadformat
Bitte geben Sie Ihre Daten in das Formular ein. Wir werden uns schnellstmöglich mit Ihnen in Verbindung setzen und Ihnen das CAD-Modell zukommen lassen.
N-Channel 40 V 8A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Basisproduktnummer | SQ2318 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.3mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 500 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3W (Tc) | |
| Andere Namen | 742-SQ2318BES-T1_GE3DKR 742-SQ2318BES-T1_GE3TR 742-SQ2318BES-T1_GE3CT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
SQ2318AES-T1_GE3Vishay Siliconix
PMN20ENAXNexperia USA Inc.
MSS1P5-M3/89AVishay General Semiconductor - Diodes Division
APSG160ELL222MJ20SUnited Chemi-Con
TSM2309CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation
DMN3023L-7Diodes Incorporated
B540CQ-13-FDiodes Incorporated
