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N-Channel 100 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | I2PAK | |
Basisproduktnummer | BUK9 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | TrenchMOS™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 120A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 25A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 133 nC @ 5 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
Vgs (Max) | ±10V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 17460 pF @ 25 V | |
Verlustleistung (max.) | 349W (Tc) | |
Andere Namen | NEXNXPBUK9E6R1-100E,127 2156-BUK9E6R1-100E127-NX BUK9E6R1100E127 934066517127 568-9877-5 |
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