Altium
Adler
OrCad
PADS
KiCad
VN10KN3-G-P002
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
NOVA-Teilenummer:
312-2276397-VN10KN3-G-P002
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
VN10KN3-G-P002
Standardpaket:
2,000
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
Bitte geben Sie Ihre Daten in das Formular ein. Wir werden uns schnellstmöglich mit Ihnen in Verbindung setzen und Ihnen das CAD-Modell zukommen lassen.
N-Channel 60 V 310mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-92-3 | |
| Basisproduktnummer | VN10KN3 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 310mA (Tj) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 60 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Tc) | |
| Andere Namen | VN10KN3-G-P002CT VN10KN3-G-P002DKR VN10KN3-G-P002TR VN10KN3-G-P002DKR-ND VN10KN3-G-P002DKRINACTIVE VN10KN3-G-P002-ND |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
VN10KC-T1Siliconix
2N7000TAonsemi- 2N7000-D74Zonsemi
VN2222LL-GMicrochip Technology- TN0106N3-GMicrochip Technology
- VN2106N3-GMicrochip Technology
- VN10KN3-GMicrochip Technology
2N7000NTE Electronics, Inc- ZVN3306ADiodes Incorporated
- VN10LPDiodes Incorporated
