SI1022R-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
NOVA-Teilenummer:
312-2275919-SI1022R-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI1022R-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 60 V 330mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten SC-75A
Basisproduktnummer SI1022
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 330mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V
FET-Funktion-
Paket/KofferSC-75, SOT-416
Vgs (Max)±20V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)60 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 30 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.) 250mW (Ta)
Andere NamenSI1022R-T1-GE3TR
SI1022R-T1-GE3DKR
SI1022RT1GE3
SI1022R-T1-GE3CT

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