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IPI045N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
NOVA-Teilenummer:
312-2275502-IPI045N10N3GXKSA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPI045N10N3GXKSA1
Standardpaket:
50
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO262-3 | |
| Basisproduktnummer | IPI045 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 8410 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 214W (Tc) | |
| Andere Namen | SP000683068 IFEINFIPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3 G-ND 2156-IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3G IPI045N10N3 G |
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