SIA106DJ-T1-GE3

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MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK

NOVA-Teilenummer:

312-2290220-SIA106DJ-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SIA106DJ-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

N-Channel 60 V 10A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SC-70-6
Basisproduktnummer	SIA106
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	10A (Ta), 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.5mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	13.5 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® SC-70-6
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	540 pF @ 30 V
Verlustleistung (max.)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Andere Namen	SIA106DJ-T1-GE3CT SIA106DJ-T1-GE3TR SIA106DJ-T1-GE3DKR