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PSMN8R5-108ESQ
MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
NOVA-Teilenummer:
312-2344957-PSMN8R5-108ESQ
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
PSMN8R5-108ESQ
Standardpaket:
50
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 108 V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole I2PAK
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | I2PAK | |
| Basisproduktnummer | PSMN8 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100A (Tj) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 111 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 108 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 5512 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 263W (Tc) | |
| Andere Namen | 568-11432-5 934068134127 |
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