BSP149H6327XTSA1

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MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4

NOVA-Teilenummer:

312-2281368-BSP149H6327XTSA1

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

BSP149H6327XTSA1

Standardpaket:

1,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-SOT223-4
Basisproduktnummer	BSP149
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	SIPMOS®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	660mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 400µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 5 V
FET-Funktion	Depletion Mode
Paket/Koffer	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	430 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	1.8W (Ta)
Andere Namen	SP001058818 BSP149H6327XTSA1CT BSP149H6327XTSA1DKR BSP149H6327XTSA1TR