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N-Channel 850 V 90A (Tc) 1785W (Tc) Through Hole PLUS264™
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | IXYS | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | PLUS264™ | |
Basisproduktnummer | IXFB90 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | HiPerFET™, Ultra X | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 90A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 500mA, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 340 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-264-3, TO-264AA | |
Vgs (Max) | ±30V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 850 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 13300 pF @ 25 V | |
Verlustleistung (max.) | 1785W (Tc) |
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