TW070J120B,S1Q

SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
NOVA-Teilenummer:
312-2265040-TW070J120B,S1Q
Hersteller-Teile-Nr:
TW070J120B,S1Q
Standardpaket:
25

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 1200 V 36A (Tc) 272W (Tc) Through Hole TO-3P(N)

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KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C
BefestigungsartThrough Hole
Gerätepaket des Lieferanten TO-3P(N)
Basisproduktnummer TW070J120
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Serie-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 36A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 18A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.8V @ 20mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 20 V
FET-FunktionStandard
Paket/KofferTO-3P-3, SC-65-3
Vgs (Max)±25V, -10V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)1200 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1680 pF @ 800 V
Verlustleistung (max.) 272W (Tc)
Andere Namen264-TW070J120BS1Q

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