Bitte geben Sie Ihre Daten in das Formular ein. Wir werden uns schnellstmöglich mit Ihnen in Verbindung setzen und Ihnen das CAD-Modell zukommen lassen.
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 272W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-3P(N) | |
Basisproduktnummer | TW070J120 | |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 36A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 20V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 18A, 20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.8V @ 20mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 20 V | |
FET-Funktion | Standard | |
Paket/Koffer | TO-3P-3, SC-65-3 | |
Vgs (Max) | ±25V, -10V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1680 pF @ 800 V | |
Verlustleistung (max.) | 272W (Tc) | |
Andere Namen | 264-TW070J120BS1Q |
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.