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N-Channel 80 V 100A (Ta) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Texas Instruments | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-220-3 | |
Basisproduktnummer | CSD19503 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | NexFET™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100A (Ta) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2mOhm @ 60A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-220-3 | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2730 pF @ 40 V | |
Verlustleistung (max.) | 188W (Tc) | |
Andere Namen | TEXTISCSD19503KCS 2156-CSD19503KCS -296-37481-5-ND 296-37481-5 CSD19503KCS-ND |
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