SISS23DN-T1-GE3

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MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

NOVA-Teilenummer:

312-2282078-SISS23DN-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SISS23DN-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

P-Channel 20 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® 1212-8S
Basisproduktnummer	SISS23
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	50A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	300 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® 1212-8S
Vgs (Max)	±8V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	8840 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)	4.8W (Ta), 57W (Tc)
Andere Namen	SISS23DN-T1-GE3CT SISS23DN-T1-GE3DKR SISS23DN-T1-GE3TR