SI3483DDV-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP

NOVA-Teilenummer:

312-2285070-SI3483DDV-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI3483DDV-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

P-Channel 30 V 6.4A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	6-TSOP
Basisproduktnummer	SI3483
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	6.4A (Ta), 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31.2mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (Max)	+16V, -20V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	580 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 3W (Tc)
Andere Namen	SI3483DDV-T1-GE3DKR SI3483DDV-T1-GE3TR SI3483DDV-T1-GE3CT