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BUK7E4R0-80E,127
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
NOVA-Teilenummer:
312-2344761-BUK7E4R0-80E,127
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BUK7E4R0-80E,127
Standardpaket:
50
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 80 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | I2PAK | |
| Basisproduktnummer | BUK7 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 120A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 169 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 12030 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 349W (Tc) | |
| Andere Namen | 2156-BUK7E4R0-80E127-NX NEXNXPBUK7E4R0-80E,127 934066516127 BUK7E4R080E127 568-9854-5 |
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