FDS6675BZ

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
NOVA-Teilenummer:
312-2276870-FDS6675BZ
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FDS6675BZ
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

P-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Herstelleronsemi
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOIC
Basisproduktnummer FDS6675
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SeriePowerTrench®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/Koffer8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max)±25V
FET-TypP-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2470 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta)
Andere NamenFAIFSCFDS6675BZ
FDS6675BZCT
FDS6675BZDKR
FDS6675BZTR
2156-FDS6675BZ-OS

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