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N-Channel 100 V 80A (Ta) 119W (Ta) Surface Mount TO-252
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Rohm Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-252 | |
Basisproduktnummer | RD3P08 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 80A (Ta) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 80A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1940 pF @ 50 V | |
Verlustleistung (max.) | 119W (Ta) | |
Andere Namen | RD3P08BBDTLTR RD3P08BBDTLDKR RD3P08BBDTLCT |
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