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N-Channel 600 V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-92-3 | |
Basisproduktnummer | FQN1N60 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | QFET® | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 300mA (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5Ohm @ 150mA, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
Vgs (Max) | ±30V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 170 pF @ 25 V | |
Verlustleistung (max.) | 1W (Ta), 3W (Tc) | |
Andere Namen | FQN1N60CTA-ND FQN1N60CTATB FQN1N60CTACT FQN1N60CTADKR-ND FQN1N60CTADKR FQN1N60CTADKRINACTIVE |
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