SI2315BDS-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
NOVA-Teilenummer:
312-2280330-SI2315BDS-T1-E3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI2315BDS-T1-E3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

P-Channel 12 V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Basisproduktnummer SI2315
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Max)±8V
FET-TypP-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)12 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 715 pF @ 6 V
Verlustleistung (max.) 750mW (Ta)
Andere NamenSI2315BDS-T1-E3TR
SI2315BDST1E3
SI2315BDS-T1-E3CT
SI2315BDS-T1-E3DKR

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