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STB11NM80T4
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
NOVA-Teilenummer:
312-2273336-STB11NM80T4
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
STB11NM80T4
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 800 V 11A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | D2PAK | |
| Basisproduktnummer | STB11 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | MDmesh™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 11A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1630 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) | |
| Andere Namen | 497-4319-1-ND 497-4319-1 497-4319-2 497-4319-1-NDR 497-4319-6 -1138-STB11NM80T4CT -1138-STB11NM80T4DKR 497-STB11NM80T4TR 497-4319-2-NDR 497-STB11NM80T4DKR 497-4319-6-ND 497-STB11NM80T4CT 497-4319-2-ND -1138-STB11NM80T4TR |
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