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NVD5890NLT4G
MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2339696-NVD5890NLT4G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NVD5890NLT4G
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 40 V 24A (Ta), 123A (Tc) 4W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount DPAK
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | DPAK | |
| Basisproduktnummer | NVD589 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 24A (Ta), 123A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4760 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 4W (Ta), 107W (Tc) | |
| Andere Namen | NVD5890NLT4G-ND NVD5890NLT4G-VF01OSTR NVD5890NLT4G-VF01OSDKR NVD5890NLT4GOSTR NVD5890NLT4G-VF01OSTR-ND NVD5890NLT4GOSDKR NVD5890NLT4G-VF01 NVD5890NLT4G-VF01OSDKR-ND NVD5890NLT4G-VF01OSCT NVD5890NLT4G-VF01-ND NVD5890NLT4G-VF01OSCT-ND NVD5890NLT4GOSCT |
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