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N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | STMicroelectronics | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-220 | |
Basisproduktnummer | STP11 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | FDmesh™ II | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-220-3 | |
Vgs (Max) | ±25V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 850 pF @ 50 V | |
Verlustleistung (max.) | 90W (Tc) | |
Andere Namen | 497-8442-5 |
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