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MVB50P03HDLT4G
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
NOVA-Teilenummer:
312-2339817-MVB50P03HDLT4G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
MVB50P03HDLT4G
Standardpaket:
1
Technisches Datenblatt:
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P-Channel 30 V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | D²PAK | |
| Basisproduktnummer | MVB50 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 50A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 25A, 5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±15V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4900 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) |
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