SI1416EDH-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
NOVA-Teilenummer:
312-2282019-SI1416EDH-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI1416EDH-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 30 V 3.9A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten SC-70-6
Basisproduktnummer SI1416
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/Koffer6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs (Max)±12V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)30 V
Verlustleistung (max.) 2.8W (Tc)
Andere NamenSI1416EDH-T1-GE3TR
SI1416EDH-T1-GE3DKR
SI1416EDH-T1-GE3-ND
SI1416EDH-T1-GE3CT

In stock Bitte kontaktieren Sie uns

Whatsapp

Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!