SI5457DC-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

NOVA-Teilenummer:

312-2280763-SI5457DC-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI5457DC-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

P-Channel 20 V 6A (Tc) 5.7W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	1206-8 ChipFET™
Basisproduktnummer	SI5457
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	6A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 4.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-SMD, Flat Lead
Vgs (Max)	±12V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1000 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)	5.7W (Tc)
Andere Namen	SI5457DC-T1-GE3DKR SI5457DC-T1-GE3CT SI5457DC-T1-GE3TR SI5457DC-T1-GE3-ND