SQJ431AEP-T1

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SQJ431AEP-T1_GE3

MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8

NOVA-Teilenummer:

312-2288081-SQJ431AEP-T1_GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SQJ431AEP-T1_GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

P-Channel 200 V 9.4A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SO-8 Dual
Basisproduktnummer	SQJ431
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	9.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	305mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	85 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	3700 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	68W (Tc)
Andere Namen	SQJ431AEP-T1_GE3TR SQJ431AEP-T1_GE3CT SQJ431AEP-T1_GE3DKR