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N-Channel 100 V 190mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Nexperia USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-236AB | |
Basisproduktnummer | BST82 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | TrenchMOS™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 190mA (Ta) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 150mA, 5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 40 pF @ 10 V | |
Verlustleistung (max.) | 830mW (Tc) | |
Andere Namen | 568-6229-6-ND 568-6229-2 568-6229-2-ND BST82 T/R 568-6229-1 568-6229-1-ND 1727-4937-2 1727-4937-6 BST82,215-ND 1727-4937-1 BST82 T/R-ND 933733110215 568-6229-6 |
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